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IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一種電力電子器件，它的工作原理如下：

當(dāng)門開路時(shí), IGBT處于零柵壓狀態(tài)。 當(dāng)輸入信號(hào)u1作用于CE結(jié)兩端而導(dǎo)通電流Ic通過溝道流入SODR之間區(qū)域使電壓Ug為負(fù)值并具有較大的漏泄流Id(圖2a)。 此時(shí)若減小或取消外施直流電源Vgs ，因uo≈0及| Ud|=?Uid (式3) 。 因此由公式4可知Ids將保持不變；即不隨外加vds的增大而成正比關(guān)系上升稱之為飽和現(xiàn)象.這種現(xiàn)象是由id=βi+(1+gm/es)(ia_m + id)= i* 的性質(zhì)所決定的。（其中 ：ia m 為調(diào)制泄漏 、gm為單位功率開關(guān)效應(yīng)、 es =Ldi /dt |ces ) ；以上特性使得在同等驅(qū)動(dòng)電流條件下 gm與|ugs|的比值為常數(shù)——稱作載波頻率 ——用f表示則為 f= -πGMuds(- duids)/es（-didt）。這樣對(duì)于每一個(gè)周期內(nèi) VDS上給出的電能全部轉(zhuǎn)化為IDLS因而在此期間可認(rèn)為負(fù)載一直以額定速度進(jìn)行運(yùn)行?！鳛榛局R(shí)必須牢記！